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第179章 单晶到底怎么造(3k)(1/3)

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  最新网址:xs段工重新接过电话,对高振东笑道:“高主任,别的啥也不说了,又麻烦你一次,你放心,我保证,但凡有你们的石墨构件单子,我每次都亲自盯紧。”

  这倒是个好事,能最大程度的保证单晶炉石墨构件的源头质量。

  机要通话的资源还是很宝贵的,事情说完,再次互祝新年之后,挂断了通话。

  对于一些石墨材料制作中的其他问题,碳研院没问,高振东也是没法主动说的,一来,也许他们的选择更优,二来,还有个保密规定在呢,就算是技术顾问也不能随便问对方主动给出的信息之外的话题。

  看看日历,还有两天就要除夕了。

  高振东从机要室出来,没有回办公室,而是去了单晶炉试验室。

  这边的具体事务,是俞允成在负责。

  有这位科班出身的人在,高振东也很放心,他领先的是思路和原理,具体细节就不见得比俞允成更好了。

  俞允成负责具体的落地过程,比他更合适。

  “高主任,区熔法具体一点是个什么回事呢?”

  听见高振东这個话,俞允成这个在当前已经算是硅单晶制作的专业人士嘴巴张大了,高主任说的这些,相当一部分根本没听说过,就这一句话,就够他琢磨好些年的了。

  然后高振东就告诉了他为什么一开始不做区熔法:“但是从这两个方法来看,适应范围最广、晶体直径最容易做大、技术更简单的,是直拉法。”

  区熔法则是把硅棒吊起来,把下端烧化,然后往下拉晶。

  高振东笑着道:“嗯,俞工,现在情况怎么样?”

  “高主任,从原理上分析,区熔法比直拉法的材料纯度要高,我们为什么不直接用区熔法搞。”

  看见高振东过来,俞允成也走了过来,正好他有些积累的问题想问一下:“高主任,过来了?”

  说到这里,他顺势提出了自己心中的疑问。

  高振东笑着道:“不止我们现在正在做的直拉法和区熔法,做硅单晶的办法还有很多,比如基座法、片状单晶生长、气相生长、铸锭法、液相外延等等。”

  高振东点点头:“没错,不过这些方法都有这样那样的问题,总的来说,电子技术上用的半导体材料,在我看来,相当一段时间内最合适的还就是正在搞的直拉法和你说的区熔法。”

  俞允成情绪也很不错:“还比较顺利,正在一项一项的装,一项一项的调。”

  这个话一开始他是不太好问的,这涉及到原理路线问题了,看见高振东的单晶炉设计那么完整,一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。

  俞允成对于区熔法有所了解,但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的,大概就处于闻名但是但未见面的程度。

  俞允成听见了有些惊讶:“啊,这样啊,好像是比较难控制。”

  简单来说,直拉法是把硅在锅里烧化,然后往上拉晶。

  不愧是搞这个的,一听就明白,高振东笑道:“对,这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落,所以直径想做大,比直拉法要困难,同时整个拉晶过程的可控性差,容易导致晶体结构缺陷。”
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